trench工艺与sgt工艺优缺点

优点

1、

VDMOS纯平面工艺就好比我们小时候的土屋，几乎不需要挖地基纯 平面架构特点:成本高，雪崩强，内阻抗大，ESD能力强，属于纯力量型选手。

2、

Trench工艺，俗称潜沟槽工艺，就好比我们农村的楼房，需要挖地基到一定深度，同样的使用面积所需要的地皮少，相比平面工艺，成本略低， 同电压平台，内阻略小，电流大，输出能力强，反之抗冲击能力也更弱，速度与力量的结合。

3、

SGT工艺，俗称深沟槽工艺，就好比现在城市的高楼大厦，需要挖的地基特别深